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推土机晶体管数目大揭秘 凭空减少8亿?

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发表于 2011 年 12 月 3 日 19:36:33 | 显示全部楼层 |阅读模式

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据著名硬件网站Anandtech创始人兼站长Anand Lai Shimpi刚刚透露的消息,AMD公关部门和他取得联系,称此前八核心推土机架构CPU的晶体管数量有误,实际数量不是20亿而是12亿。4 P8 u* S8 F0 s
* j9 o; }0 Y1 E3 X* ^7 w
推土机实际晶体管数目大揭秘. r; D- K5 O# p- y" R/ e1 `/ i

3 t: M6 E+ l" S. q$ B& j) K' UAMD没有对新的数字做出进一步说明,也没有透露为何此前公布的数字有误。AMD PR补充,4模块8核心推土机的die面积没有变化,仍为315平方毫米。! ^# v1 P) j$ P2 }

. Q  g0 m5 K5 A2 o( m7 N% Q市面常见CPU核心数量、制程工艺、晶体管数量与die面积大比拼# ~; v* T+ s1 k) T, g

# X7 N/ c$ K8 ZCPU参数比较
) ]2 l: t% p2 a0 [/ Y$ I% ]5 J8 CCPU
# t5 `& K2 x& @        . D* W# L2 A3 E$ G0 P
制程工艺4 ?: J) V( D% O
       
# e0 x/ t- D$ ]/ @核心数量
1 x- w" Y6 W* ~& J* M% p        $ I7 i1 h; W3 `7 Y, K! s
晶体管数量
% \4 }6 J. B: M" k* v9 y" a       
5 v; x) a: K7 X, y  BDie面积
/ w6 e- a% W6 Z  t% c- kAMD Bulldozer
- r( J& q! p* @/ D! K       
/ k  t( f+ e& k6 z7 H* ^32nm* }- Q) ~. \: m% ?+ f) v( W, H
        + X  ?( G) B2 v) s1 E; P; D: s
8
2 k5 b2 z, ?* l( M8 U) `! {        2 e4 A  M" L1 {2 [, a9 p/ o) B
20亿' q4 {  {4 A% T, S
       
- Y9 h/ T# m2 n: E% i315mm24 b: E; a4 |+ F" i* e4 a5 Y
AMD Thuban# \# `) ^5 W8 ~
       
7 ^; Z4 b$ S! n, ^1 e) R( Z45nm
/ h& N, Y4 v- U, `, w9 D       
6 M4 j* i# i, g- X. \9 O6. G" j- X* g7 _7 U+ P( [7 I
        , r3 |* I% }! T  ~. P
9.04亿
; M7 j9 _% f+ M       
2 S0 ?/ B$ v* ?8 O* N% J346mm2: G* N3 m' s: V: c. G: S7 q
AMD Deneb
7 l  I, Y5 {6 O) }. L        1 e, W# X$ G/ b- d$ y! c
45nm" O4 v& g5 O, D
        ' k3 D' ~! g: G& A" b  x8 I
4& B4 S8 _1 F3 w' J; w7 l4 p
       
- B0 L  ~1 N/ \7.58亿
; J- t+ L' q& y7 v9 S8 H: I3 ?5 i8 k7 V          X6 ]$ M; l' q% Z# r/ f
258mm2& g0 A1 p& l  M; {. R" z( d
Intel Gulftown
0 j; X# D. h& E% D9 N( I/ F) [        8 T3 g* J, _; i- t+ k8 V
32nm# U/ G& [! d4 A) h' N. ^
       
2 t  W% y! I9 p& O$ K& k; y8 b5 G: b61 N& x0 J: |. [& |. D8 w
        6 W' l! A. X+ V0 i* `& o7 d. H
11.7亿
! R1 N) O* T( }       
) p" X* b7 d" U/ G& X$ _: j2 k, G240mm2
; w  `1 y# {& x) eIntel SNB-E8 r; ?3 O9 |4 M# v- I8 K; Y
       
+ z# f0 b/ W7 q6 }$ d2 L+ A1 @32nm
8 e# V2 r$ y4 |% \/ n5 q( U       
: W6 ~7 W) _1 I$ G1 e) R3 @. n6 j6
3 E% S7 Z8 _# k- N- _) h       
* m6 m) Q# y. e' n22.7亿. `& A/ J8 f! A4 n& B1 s
       
% P4 o& a9 i: n1 E; j8 \: q) `435mm2$ _$ J# u# S" T& A- }
Intel Nehalem
3 z, G! R4 ~, x       
1 J: d  U; C9 O2 ^, ^3 C45nm6 ]2 i6 e' n+ ]
       
% p3 o+ ^( q7 F! Y) o/ G* B0 l. E+ ~40 Y9 [6 D' s" H2 ?; @. H2 P
       
# p" ~5 d  x. j  l* X7.31亿- |0 X5 i; U. [
       
$ u: [( l; e2 n( K263mm2& \$ U' A% Z4 |5 {; p2 S4 z
Intel SNB0 S  Y* K. u2 i4 Y. _$ Y
        5 Z1 e+ T1 a; B" e/ e$ U
32nm0 h  b# I/ C. e! ^: M( q5 @
       
  g. U5 o! S  \( ?4 b5 L4. D' E, Q) U% C4 W& o1 S: ^
        ! o+ c, h+ W% P, u! Z  i) R
9.95亿  |1 i4 y1 C% z& J: {" ^8 w: s
       
6 A4 E! d$ O% W216mm2
7 d: }0 ?# U* U6 P* S: S  XIntel Lynnfield6 M% P' Z; n& K/ b& k
        1 ^. K/ z2 v  G7 K. b) E/ T* \$ T' [
45nm  ~% I: K: [) d. V. r8 W3 R  [7 ]
        ( b/ o5 \, P0 {
4
% o5 Z2 r9 n1 g$ w$ b5 Z- g5 U        * N; n1 B- w/ L/ r* I0 F
7.74亿9 r0 l- }9 o6 M0 L3 Q7 m  M( [
        9 q$ X* y/ `) h6 q8 h; p$ B
296mm2  X$ W" l* B3 X0 X/ ?4 d
Intel Clarkdale
8 C* n7 z( u/ c' F& p        + I2 N, y" K! C  n5 b/ M/ O
32nm
2 e$ C# B9 B9 O( ?: W6 j/ ~4 i% e        6 ^; ^- [$ f8 }" f0 a& U
2' G: W- J. H, v3 d! O- q3 F- S
        0 G- Y" P3 q0 i! f4 C
3.84亿7 t( E' o2 \) `' X
       
: o/ ~6 _! v- A0 w4 x9 M& _( W4 t81mm2; u& n! P8 Z7 t9 d
Intel SNB(GT1); h2 h" g8 e) z* E% l
        ( A" |+ k/ g3 A* X' E( {1 a7 i, h* _& I" D
32nm
# z- Z5 D( o1 N        ) a& |- U7 P* G
20 \# R; ]' m) }$ \9 C$ E
        ( P* Z1 Q. y& |  d% n) |5 S! \! p
5.04亿; g$ V7 J+ ]' e7 t2 k5 H3 k$ ?
       
# S4 c' d  e% o131mm2) b2 }& y1 R9 E- T5 i
Intel SNB(GT2)5 T$ s' O) r& W; L& E
       
4 y! E3 L. H6 C, V' q32nm7 S! b* G& m* ~' j3 |
       
  {' j$ Z$ @! T8 v2
! C) A/ V2 @1 V/ R* g        7 f" ~! d7 X/ O- _- I
6.24亿8 t2 c0 N+ j0 N7 F9 U
       
9 [- Q4 e0 m: ~$ g7 ?+ w149mm2
  e  D4 @( ~! x0 ^: r+ I4 ?
* [1 Y* `4 }! k! Q3 v尽管实际的晶体管数量削减了约40%,不过AMD首款32nm工艺的高端CPU晶体管密度还是远大于它的45nm产品。
: N0 z7 u. K" m- Z3 b9 I3 ]8 Y8 Z0 F) D" E
推土机实际晶体管数目大揭秘( A2 a( o$ |- I0 F

/ l' f& `2 W* r" h: q; R) u* {, w晶体管密度不仅仅取决于制造工艺,包括芯片的细节比如逻辑模块、缓存部分和I/O晶体管都对die的最终设计有影响。高晶体管密度通常更受制造工厂的欢迎(每die的缺陷更少,一块晶圆能切割的成品更多,成本更低等),不过对于终端用户来说这都无所谓,性价比或者能耗比才是王道。
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